Να στείλετε μήνυμα
Αρχική Σελίδα Προϊόνταηλεκτρονικό μικροσκόπιο ανίχνευσης

Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm

Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm

Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm
Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm

Μεγάλες Εικόνας :  Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: ΚΙΝΑ
Μάρκα: Phidix
Πιστοποίηση: IATF16949,CE
Αριθμό μοντέλου: M22005
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: Διαπραγματεύσιμος
Τιμή: Negotiable
Συσκευασία λεπτομέρειες: 1 κιβώτιο PC/Wooden
Χρόνος παράδοσης: 40 ημέρες εργασίας
Όροι πληρωμής: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 10 PCS/Month

Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm

περιγραφή
Χρώμα: άσπρος Προσαρμογή: COEM, ODM
Συσκευασία: 1 PC/Carton Εξουσιοδότηση: 1 έτος
Χρονική ανοχή: 40 ημέρες εργασίας Δυνατότητα προσφοράς: 10 PCS/Month
Ψήφισμα: 1.5nm, 3nm Ενίσχυση: 800000X
Επιταχύνοντας τάση: 0~30KV Ανίχνευση σημάτων: Υπερβολικός κενός δευτεροβάθμιος ανιχνευτής ηλεκτρονίων (με τη λειτουργία perotection ανιχνευτών)
Πυροβόλο όπλο ηλεκτρονίων: Πυροβόλο όπλο ηλεκτρονίων εκπομπής τομέων Schotty Ανώτατο μέγεθος του δείγματος: 340mm στη διάμετρο, 50mm στο ύψος
Αυτόματη λειτουργία: Εστίαση, φωτεινός/αντίθεση, Stigmator, ευθυγράμμιση κ.λπ. Κενό σύστημα: 2 ιονική αντλία, 1TMP, 1RP
Υψηλό φως:

800000X ηλεκτρονικό μικροσκόπιο ανίχνευσης

,

1.5-3nm ηλεκτρονικό μικροσκόπιο ανίχνευσης ψηφίσματος

,

ηλεκτρονικό μικροσκόπιο ενίσχυσης

 

Ψήφισμα ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm με την προαιρετικά EBS, το EDS, EBSD και το CL

 

M22005 το λειτουργικό λογισμικό ηλεκτρονικών μικροσκοπίων μπορεί να μεταστραφεί στα κινέζικα/αγγλικά με το μορφωματικό σχεδιάγραμμα. Αυτό το λογισμικό υποστηρίζει τη σε πραγματικό χρόνο ταυτόχρονη επίδειξη 5 εικόνων, 4 καναλιών συν το παράθυρο CCD, και των ισχυρών βοηθητικών λειτουργιών όπως η σύνθεση της δευτεροβάθμιας εικόνας ηλεκτρονίων και της αναδρομικά διασκορπισμένης εικόνας ηλεκτρονίων, η πολυσημειακή μέτρηση μεγέθους, ο σχολιασμός κειμένων της εικόνας ηλεκτρονικών μικροσκοπίων, η κενή επίδειξη χαρτών, η επίδειξη παραθύρων CCD, κ.λπ., για να ικανοποιήσει τις ιδιαίτερες ανάγκες των διαφορετικών χρηστών. Αυτόματες λειτουργίες: η αυτόματη ίνα, η υψηλή τάση, η εστίαση, η ρύθμιση φωτεινότητας/αντίθεσης, ο αστιγματισμός, να στραφούν δεσμών ηλεκτρονίων, η αυτόματη διόρθωση του πυροβόλου όπλου ηλεκτρονίων, η ανίχνευση ελαττωμάτων, η προαιρετική τρισδιάστατη αναδημιουργία, κ.λπ. έσωσαν τις εικόνες: 16384X16384PIXEL BMP, GIF, TIF, JPG, MNG, ICOCUR, TGA, PCX, JP2, JPC, PGX, RAS, PNM, SKA, SEM

 

Specials:

 

- Ενίσχυση ανώτατο 800000X.

- Ανίχνευση σημάτων: Υπερβολικός κενός δευτεροβάθμιος ανιχνευτής ηλεκτρονίων (με τη λειτουργία perotection ανιχνευτών).

- Επιταχύνοντας τάση: 0~30KV, υψηλή ανάλυση εικόνας.

- BSE/EDS/EBSD/CL είναι προαιρετικό, για την ανάλυση τμημάτων.

- Υψηλό κενό σύστημα.

- Μηχανοποιημένο Encentric στάδιο πέντε αξόνων.

 

Στοιχείο Προδιαγραφή M22005
Ψήφισμα το 1.5nm@15kV (SE), το 3nm@30kV (EBS)
Ενίσχυση 8X~800000X, επιδειχθείσα ενίσχυση: Η ενίσχυση καθορίζεται με ένα μέγεθος 127mm*211mm επίδειξης
Επιταχύνοντας τάση 0~30kV

Ανίχνευση σημάτων

 

Υπερβολικός κενός δευτεροβάθμιος ανιχνευτής ηλεκτρονίων (με τη λειτουργία perotection ανιχνευτών)
Πυροβόλο όπλο ηλεκτρονίων Πυροβόλο όπλο ηλεκτρονίων εκπομπής τομέων Schotty
Αυτόματη λειτουργία Εστίαση, φωτεινός/αντίθεση, Stigmator, ευθυγράμμιση κ.λπ.
StageSystem/μετακίνηση Τυποποιημένο χειρωνακτικό στάδιο
Χ: 0~80mm
Υ: 0~60mm
Ζ: 0~50mm
Ρ: 360°
Τ: -5°~90°
Ανώτατη διάμετρος δειγμάτων: 175mm
Ανώτατο ύψος δειγμάτων: 40mm
Προαιρετικό μηχανοποιημένο Encentric στάδιο
Χ: 0~80mm                                             Χ: 0~150mm
Υ: 0~50mm                                             Υ: 0~150mm
Ζ: 0~30mm                                             Ζ: 0~60mm
Ρ: 360°                                                   Ρ: 360°
Τ: -5°~70°                                               Τ: -5°~70°
Ανώτατη διάμετρος δειγμάτων: 175mm              Ανώτατη διάμετρος δειγμάτων: 340mm
Ανώτατο ύψος δειγμάτων: 20mm                    Ανώτατο ύψος δειγμάτων: 50mm
Κενό σύστημα 2 ιονική αντλία, 1TMP, 1RP
Προαιρετικός ανιχνευτής BSEEDSEBSDCL
Προαιρετικά εξαρτήματα Προ-κενό στάδιο Chamber/EBL/Cryo/νανο χειριστής/εκτατοί σκηνικός πίνακας ελέγχου/σφαίρα διαδρομής

Σημείωση:● πρότυπα μέσων, μέσα ○ προαιρετικά

 

 

Στοά

 

Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm 0

 

 

Λογισμικό επεξεργασίας εικόνας

 

Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm 1

 

Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm 2

 

 

Ψήφισμα EBS ηλεκτρονικών μικροσκοπίων ανίχνευσης ενίσχυσης 8X-800000X 1.5-3nm 3

 

 

Στοιχεία επικοινωνίας
Phidix Motion Controls (Shanghai) Co., Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Johnny Zhang

Τηλ.:: 86-021-37214606

Φαξ: 86-021-37214610

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)